三星计划在2021年下半年推出4纳米工艺，并计划在3纳米节点使用闸极全环晶体管（GAA），以超越台积电5纳米FinFET技术。

三星为了扩大在美国市场，一直与美国进行谈判，以扩大在德州奥斯汀的工厂，并可能在纽约、亚利桑那州或德州增设一家芯片制造工厂，计划投资超过1500亿美元。截至目前，尚未透露其最终选择地点和计划。

如今，韩国更是积极出面，与华盛顿建立一条热线电话，讨论稳定半导体供应的合作，并在全球芯片短缺的情况下，提升现有产业合作对话管道的水准。

简单来说，三星从工艺技术提升、采用更先进技术、迎合美国设点需求、以及韩国出面协调等面向，全面追赶台积电落后的脚步。如今三星更决定于2026年提高晶圆产能三倍，抢夺晶圆代工未来成长的市场。

三星表示，将扩大在首尔南部平泽的生产线，并可能在美国建立一家新工厂，以满足对企业客户客制化芯片不断成长的需求。这家韩国科技巨头正在努力提高其在晶圆代工业务中的竞争力，并使其零组件更具成本效益。

不过，有专家表示，三星从未对外透露在5纳米和7纳米等先进节点方面的实际芯片产能，因此很难理解“三倍”的实际含义。三星重申计划在2022年上半年，为客户生产首批3纳米芯片，而其第二代3纳米芯片则是预计于2023年才开始生产。换个角度来说，三星期望晶圆代工业务能够通过3纳米GAA闸极全环工艺确保技术领先地位，并通过积极投资满足需求，进而获取市场青睐的成果。

对于三星来说，闸极全环是一种新技术，它使得晶体管更有效，性能提高30%，功耗降低50%。预计三星的晶圆代工销售额将在五年内增加两倍，客户上也可增加数百名。其进一步预估，三星的客户数量正处于急剧增加的状态，从2017年的35个增加到2021年的100多个，预计到2026年将可超过300个。

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