深圳单片机开发方案公司金沙js5线路推出的单片机芯片采用的是RAM村相互技术，专注电子产品开发单片机方案的金沙js5线路分享与传统的RAM技术不同的MRAM技术。MRAM不以电荷或电流存储数据，而是由磁性隧道结MTJ (Magnetic tunnel junction)磁性存储数据。原理性的MTJ有三层结构，包括两个铁磁性板和一个将它们分开的磁通道隔离层 (Magnetic tunnel barrier,)组成，其中一层铁磁性板是固定磁化的永磁体 (fixed layer或pinned layer, 即固定层); 另一层铁磁性板的是自由磁化即可以改变磁化 (free layer或storage layer, 即自由层)以存储数据。

现已有多种MTJ结构，见图1：

1.   MRAM读取数据技术基本相同：
   
   MRAM中铁磁性板具有相同的磁化方向时MTJ处于低电阻状态，视为“0”，而相反的磁化方向时MTJ处于高电阻状态，视为“1”。通过测量MTJ的电阻来实现读取数据。通过向MTJ连在其漏极上的晶体管提供电流，电流从电源线通过MTJ切换地，通过测量所得到的电流，可以确定阻值高低，而确定所读数据是“0还是1”，从而完成读取。
   
   2.  MRAM写入技术种类较多：
   
   MRAM工作原理是磁阻效应，由此衍生出不同数据写入方式。
   
   2.1  磁写入：应激磁场翻转自由层的
   
   磁写入是经典的第一代MRAM，最基本的存储单元是 (TOGGLE CELL)，如下图所示，一个TOGGLE CELL包括： MTJ、漏极和MTJ固定层间接互连的晶体管、与MTJ自由层耦合的220位线BL (bit line)、与晶体管源极互连的230数位线 (digit line)、和240字线 (word line)。
   

   
   

   

2.2  电写入 (自旋写入)：自旋极化电子注入翻转自由层

自旋写入是第二代MRAM，也是现在主流的NVM技术。主要是自旋力矩转移MRAM (STT-MRAM)。写入时，流经MTJ自身的电流脉冲来完成自由层磁化的切换。技术原理是：由自旋极化隧道电流 (spin polarized tunneling current)携带的角动量 (angular momentum)引起自由层的反转，自由层的磁化 (与固定层平行或相反)由电流脉冲的极性确定。如下图所示，一个最基本的STT-MRAM存储CELL包括305MTJ、与MTJ自由层互连的位线320、漏区连接在MTJ固定层的晶体管310、位于晶体管栅极附近的字线330、以及连接在晶体管源区的源线340 (source line)。

磁阻式随机存取内存 ( MRAM)从1990年开始发展，MRAM是一种非挥发性内存NVM技术，拥护者认为，MRAM技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，有望成为真正的通用型内存 (Universal memory)。

深圳单片机开发方案公司金沙js5线路认为市场是多样性的，虽然金沙js5线路推出的单片机芯片是传统的的RAM系列单片机，但是也关注MRAM存储技术。