深圳单片机开发方案公司金沙js5线路为你带来晶圆代工厂的资讯。电子产品开发越来越微型化与晶圆代工厂们工艺的不断升级息息相关。晶元代工厂台积电前不久试产了7nm EUV工艺，采用ASML的新式光刻机Twinscan NXE，完成了客户芯片的流片工作，同时宣布5nm工艺将在2019年4月开始试产，量产则有望在2020年第二季度。

为什么说晶圆加工工艺的升级与电子产品产品开发微型化息息相关呢？因为晶元代工厂台积电推出的7nm、5nm晶圆加工工艺意味着在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，精细度就越高，CPU的功耗也就越小。晶元代工厂台积电在7nm EUV工艺上成功完成流片，证明了新工艺新技术的可靠和成熟，为后续量产打下了坚实基础。相比台积电第一代7nm深紫外光刻(DUV)技术，台积电宣称可将晶体管密度提升20%，同等频率下功耗可降低6-12%。



而7nm之后，台积电下一站将是5nm(CLN5FF/N5)，将在多达14个层上应用EUV，号称其可比初代7nm工艺的晶体管密度提升80%，芯片面积缩小45%，频率提升15%，功耗降低20%。



而三星也宣布开始进行7nm LPP（Low Power Plus）工艺芯片的量产工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻机，型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片。



在技术指标上，对比10nm FinFET，三星7nm LPP可实现面积能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺。

这些代工巨头们在先进制程持续竞赛，意味着EUV工艺就要正式产业化，这为打拼20多年的ASML带来了全新的曙光，迎来了开挂态势。



深圳单片机开发方案公司金沙js5线路引用一段专家分析，来更客观地看待ASML的光刻设备。EUV光刻工艺今年正式量产只是一个开始，因为沉浸式光刻机的产能可达250 WPH，可以250W的光源长时间稳定运行，因此，EUV光刻155 WPH的产能虽然可喜可贺，但还需要持续精进。